「飞昂创新科技」发布全新 50G-PAM4系列芯片产品

ICC讯 飞昂创新科技南通有限公司(以下简称“飞昂创新”，网址http://www.wingcomm.com)面向下一代数据中心和5G应用，近日发布了FA1451、FA1452和FA0153三款50G比特率PAM4芯片产品。

FA1451为4x50G光电发射芯片，集成了PAM4时钟数据恢复电路(CDR)和线性VCSEL驱动电路；FA1452为4x50G光电接收芯片，集成了PAM4时钟数据恢复电路(CDR)和线性跨导放大电路(TIA)。FA1451和FA1452搭配使用，支持0~70C机房温度，可为200G和400G有源光纤提供完整的电芯片解决方案。

FA0153为单通道50G-PAM时钟数据恢复电路(CDR)，集成了接收和发射双向CDR，采用BGA封装，支持-40~85C工业温度；配合飞昂的50G线性DML激光驱动芯片(FA2155)和50G线性TIA(FA2156)，面向5G前传和中传的需求，可为50G-LR单模中长距光模块提供完整的电芯片解决方案。

以上三款芯片的性能和功耗均接近业界先进水平，并已开始小批量生产。

四通道50G-PAM4光眼图

四通道50G-PAM4电眼图

面向下一代光互连和光传输的50G和100G比特率商用方案目前完全依赖进口DSP芯片实现，成本较高，而以模拟CDR替代DSP实现50G比特率的技术方案已开始获得终端用户的认可。飞昂的50G-PAM4技术采用模拟CDR方案，在满足系统需求的同时，有效降低了成本，为未来200G和400G有源光纤和50G中长距光模块的批量部署提供了完整可靠的自主集成电路解决方案。

相比于采用NRZ调制的单通道25G技术，50G采用PAM4调制技术，对电路性能和复杂度提出了更高的要求。50G比特率系列芯片产品的研制成功，是飞昂持续投入与创新的成果，推动本土电芯片技术再上一个台阶，并进一步拉近了我们和国外竞争对手的距离。

 飞昂创新科技产品发布动态 

• 25G单模和50G-PAM4多模完整IC技术方案

2019年1月，飞昂创新科技发布两项重磅技术：面向中长距应用的单模25Gb/s NRZ和面向中短距应用的多模50Gb/s PAM4完整电芯片收发解决方案。

单模25Gb/s NRZ 技术方案包含DFB Driver、TIA和CDR，主要应用于当前数据中心内的QSFP28-CWDM4和QSFP28-PSM4光收发器，以及5G无线前传中的SFP28-LR光收发器，是未来几年数据中心及5G建设中的核心光互连/光传输技术。

多模50Gb/s PAM4技术方案是业界首款基于PAM4 CDR技术的双通道100G高速光互连收发电芯片组。相比现有的（DSP+线性驱动/放大器）方案，PAM4 CDR方案具有极大的成本和功耗优势，SFP56-DD模块整体功耗将有望降至2W以下，是下一代400G数据中心实现中短距光互连的理想方案。

• 100G-CWDM4 驱动芯片

2019年9月，飞昂创新科技发布应用于QSFP28-CWDM4光模块的DFB驱动芯片W-TX-28-FR4，该产品集成了4通道DFB激光驱动器和TX-CDR，采用4mm x 5.5mm BGA气密封装，工作温度范围覆盖-40°C~85°C，可适配多种DFB激光器，性能和功耗均达到业界先进水平。该产品已进入批量生产。

• 50G/200G线性TIA和DML驱动芯片

2021年8月，飞昂创新科技发布发布50G/200G线性TIA和DML驱动芯片。

FA2155为单通道线性DML驱动芯片，FA2455为四通道线性DML驱动芯片，每通道的波特率达28G以上，采用气密封装，可直接驱动DML TOSA或DFB激光器，无需外接Bias Tee。

FA2156为单通道线性TIA芯片，FA2456为四通道线性TIA芯片，每通道的波特率达28G以上，FA2156的硅片面积仅0.9平方毫米，FA2456的硅片面积仅3.4平方毫米，均为业界最小，可直接与PD或APD在ROSA内集成。

以上四款芯片针对50G-PAM4和200G-PAM4应用，性能均达到业界先进水平，可为客户提供高性能的光电收发模拟解决方案。

关于飞昂创新科技

飞昂创新科技成立于2014年，总部位于南通开发区，并在苏州工业园区、南京和美国设有研发中心。核心技术为 100G/400G光电集成电路和集成光路。自成立以来，专注于光通讯领域超高速光互连集成电路的产业化，成功研发并量产了光模块、有源光纤和光引擎中的电芯片产品，广泛应用于数据中心、无线基站、超级计算机、AR/VR、4K/8K超清视频等领域。公司拥有完整的软硬件开发和高速测试能力，可为客户提供整套光通讯和光互连解决方案。

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