长江存储：计划今年扩产一倍 并率先生产192层3D NAND闪存

消息指出，长江存储计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到10万片晶圆，约占全球总产量的7%，这将有助于该公司缩小与全球先进制造商之间的差距。据悉，三星电子目前每月约生产48万片晶圆，而美光的月产能约为18万片。

此外，长江存储还准备试产192层NAND快闪记忆体晶片，最快将于2021年中试产，这将是中国半导体业者首次试产这类晶片。不过因先进工艺的复杂性，需要时间确保量产芯片质量，这一计划有可能会被推迟到今年下半年。据了解，如三星、美光等市场一流供应商目前仍在开发176层3D NAND晶片，而当前可量产的最先进版本为128层NAND晶片。

2020年4月，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。

据消息人士透露，2020年三季度以来，长江存储一直忙于引进与安装必要的生产设备与扩大生产线。目前长江存储同时生产64层与128层3D快闪记忆体晶片，但将逐步将更多产能转向后者。

一名消息人士还指出，长江存储的128层芯片的良率目前在70%左右，仍有提高的空间。不过，半导体行业的另一位高管则表示，“这已经是一个重大突破，但长江存储仍需要大量的企业合作，同时等待全球顶级客户接受并采用其NAND闪存产品。”

据悉，长江存储一期项目于2019年产能达到2万片/月，2020年扩产至5万片/月以上水平，预计一期项目未来将达到10万片/月产能，另外二期土建已于2020年6月开工，两期产能规划共30万片/月。